Вернуться на страницу «Система параметров силовых полупроводниковых приборов»
Перейти на страницу «Условные обозначения параметров силовых полупроводниковых приборов»
Перейти на страницу «Система параметров диодов»

Система параметров тиристоров.

Группа параметров Предельно допустимые Характеризующие 
Параметры в проводящем 
состоянии

 

Средний ток в открытом состоянии (ITAV)

Зависимость величины тока ITAV от температуры

Действующий ток в открытом состоянии (ITRMS)

Ударный неповторяющийся ток в открытом состоянии (ITSM)

Защитный показатель (∫i2dt)

Импульсное напряжение в открытом состоянии (UTM)

Пороговое напряжение (UT(TO))

Дифференциальное сопротивление в открытом состоянии (rT)

Ток включения (IL)

Ток удержания (IH)

Блокирующие
параметры
(параметры в непроводящем состоянии)

 

Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (UDRM)

Повторяющееся импульсное обратное напряжение (URRM)

Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (UDSM)

Неповторяющееся импульсное обратное напряжение (URSM)

Импульсное рабочее напряжение в закрытом состоянии (UDWM)

Импульсное рабочее обратное напряжение (URWM)

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии (IDRM)

Повторяющийся импульсный обратный ток (IRRM)

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии ((duD/dt)crit)

Параметры управления

 

Прямой ток управляющего электрода (IFGM)

Импульсное прямое напряжение на управляющем электроде (URGM)

Мощность потерь на управляющем электроде (PG)

Отпирающее напряжение (UGT)

Отпирающий ток (IGT)

Неотпирающее напряжение (UGD)

Неотпирающий ток (IGD)

Параметры переключения

 

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии ((di/dt)crit) Время включения (tgt)

Время задержки (tgd)

Время нарастания (tgr)

Время выключения (tq)

Время обратного восстановления (trr)

Время запаздывания обратного напряжения (ts)

Время спада обратного тока (tf)

Заряд восстановления (Qrr)

Заряд запаздывания (Qs)

Остаточный заряд (Qf)

Ток обратного восстановления (Irr)

Температурные параметры

 

Минимально допустимая температура перехода (Tj min)

Максимально допустимая температура перехода (Tj max)

 

Тепловое сопротивление переход — корпус (Rthjc)

Тепловое сопротивление переход — анод (Rthjc-A)

Тепловое сопротивление переход — катод (Rthjc-K)

Тепловое сопротивление корпус — охладитель (Rthck)

Механические параметры

 

Ускорение (а) Крутящий момент затяжки силовых тиристоров штыревой конструкции (М)

Усилие сжатия силовых тиристоров таблеточной конструкции (F)

Масса тиристора (m)

Вернуться на страницу «Система параметров силовых полупроводниковых приборов»
Перейти на страницу «Условные обозначения параметров силовых полупроводниковых приборов»
Перейти на страницу «Система параметров диодов»



kronek1@yandex.ru
kronek.ltd@gmail.com
наверх страницы
(812) 331-96-57

Заказ продукции и условия поставки