Вернуться на страницу «Система параметров силовых полупроводниковых приборов»
Перейти на страницу «Условные обозначения параметров силовых полупроводниковых приборов»
Перейти на страницу «Система параметров тиристоров»

Система параметров диодов.

Группа параметров Предельно допустимые Характеризующие
Параметры в проводящем состоянии

 

Средний прямой ток (IFAV)

Зависимость величины тока IFAV от температуры

Действующий прямой ток (IFRMS)

Ударный неповторяющийся прямой ток (IFSM)

Защитный показатель (∫i2dt)

Импульсное прямое напряжение (прямое падение напряжения) (UFM)

Пороговое напряжение (UF(TO))

Дифференциальное прямое сопротивление (rT)

Блокирующие параметры (параметры в непроводящем состоянии) Повторяющееся импульсное обратное напряжение (URRM)

Неповторяющееся импульсное обратное напряжение (URSM)

Импульсное рабочее обратное напряжение (URWM)

Повторяющийся импульсный обратный ток (IRRM)

 

Параметры переключения Время обратного восстановления (trr)

Время запаздывания обратного напряжения (ts)

Время спада обратного тока (tf)

Заряд восстановления (Qrr)

Заряд запаздывания (Qs)

Остаточный заряд (Qf)

Ток обратного восстановления (Irr)

Температурные параметры

 

Минимально допустимая температура перехода (Tj min)

Максимально допустимая температура перехода (Tj max)

Тепловое сопротивление переход — корпус (Rthjc)

Тепловое сопротивление переход — анод (Rthjc-A)

Тепловое сопротивление переход — катод (Rthjc-K)

Тепловое сопротивление корпус — охладитель (Rthck)

Механические параметры

 

Ускорение (a) Крутящий момент затяжки силовых диодов штыревой конструкции (M)

Усилие сжатия силовых диодов таблеточной конструкции (F)

Масса диода (m)

Вернуться на страницу «Система параметров силовых полупроводниковых приборов»
Перейти на страницу «Условные обозначения параметров силовых полупроводниковых приборов»
Перейти на страницу «Система параметров тиристоров»



kronek1@yandex.ru
kronek.ltd@gmail.com
наверх страницы
(812) 331-96-57

Заказ продукции и условия поставки