Расчет элементов, ограничивающих скорость нарастания напряжения.
Для предупреждения самопроизвольного включения тиристоров при скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, превышающей критическое значение, может быть использована схема, приведенная на рисунке:
В период нарастания прямого напряжения на тиристоре Т резистор RД шунтируется диодом Д. В этом случае скорость нарастания напряжения определяет постоянная времени цепи, состоящей из сопротивления нагрузки RН и конденсатора С, равная ζ = RНC.
Значение ζ может быть найдено исходя из допустимого значения (duD/dt)crit для применяемого прибора. При известном значении RН можно определить емкость шунтирующего конденсатора как C = ζ / RН. В некоторых случаях в схеме может отсутствовать сопротивление RН, тогда коммутируемое напряжение прикладывается непосредственно к тиристору и скорость нарастания напряжения duD/dt может быть ограничена лишь за счет увеличения внутреннего сопротивления источника напряжения. В таких схемах для ограничения duD/dt рекомендуется последовательно включать балластный резистор Rб, сопротивление которого определяется токовым режимом работы тиристора. Тогда шунтирующая емкость рассчитывается исходя из Rб.
После включения тиристора емкость C разряжается через резистор RД, сопротивление которого определяется условиями ограничения всплеска разрядного тока конденсатора, равного U/RД, до значения, при котором не превышается допустимая скорость нарастания тока.
Диод должен иметь возможно меньшее время обратного восстановления, так, чтобы исключить возможность разряда конденсатора C через этот диод при включении защищаемого тиристора.
Конденсатор C должен иметь хорошие частотные свойства. Ограничивающая RC — цепочка должна быть смонтирована как можно ближе к защищаемому тиристору с целью уменьшения влияния паразитных индуктивностей.
 (812) 331-96-57 |
наверх страницы |  kronek.ltd@gmail.com |